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華邦電(2344-TW)今天公布第3季財報，華邦電非合併營收65.79億元，較上季約減少3%，但毛利率自第2季為5%，提升至11%，華邦電總經理詹東義表示，主要係客戶組合與產品的調整發揮成效；而華邦電本季稅後淨損較3.25億元幾乎較上季相當，明年在折舊費用與償還貸款支出壓力減少下，法人推估華邦電明年可望轉虧為盈。

華邦電第2季稅後純損3.25億元，每股純損0.09元；今年1至9月營收為191.83億元，較去年同期減少10.77%；值得注意的是，儘管第3季營收下滑，但毛利率卻持續成長，華邦電總經理詹東義指出，公司積極調整產品組合與客戶組合發揮成效，做的產品能維持一定獲利，盡可能提升質量表現。

華邦電財務部協理黃求己表示，公司第4季毛利率還有機會向上，尤其在46奈米與58奈米製程不斷推進下，將提升毛利率表現；華邦電今年資本支出為26億元，預估明年會較低；在折舊部分今年第3季折舊費用約21億元，全年80多億，明年將能減少10億元以上，此外，華邦電明年支付聯貸金額也將降低，因此法人推估華邦電明年轉盈很有機會。
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華邦電第3季營收組合，Specialty DRAM佔44%、 NOR Flash佔43%、Mobile RAM 佔13%；在Flash部分，年底預估投片量約1.6萬片，DRAM部分則是每月1.8萬片。

華邦電指出，雖全球景氣持續低迷，但受惠於手持裝置(handheld)及數位顯示(digital display)相關應用的出貨成長，NOR lash營收較上季及去年同期微幅成長，在58奈米製程量產進度符合預期下，將積極推出新產品並拓展品牌客戶之業務。

在Specialty DRAM營收部分，第2季表現較上季下滑4%，華邦電表示，將專注於良品裸晶元、工業用與車用電子市場以提升獲利能力，在46奈米製程轉換順利下，將有助於未來成本結構的改善。

Mobile RAM方面，華邦電46nm高密度產品Pseudo RAM(虛擬靜態記憶體)進入認證階段，並加速開發Low-Power DRAM產品於手持裝置之相關應用。

展望第4季，華邦電總經理詹東義說，第4季大環境需求不佳，但就如IC設計龍頭廠台積電(2330-TW)一樣，儘管市場需求不好，但只有擁有好的客戶，良率就能比別人好，也才有獲利機會；他認為華邦電也要走一樣的路，公司要做獲利穩定的產品，在力拚轉盈後求穩定獲利表現。